スチビントリイルインジウム(III)

化学名:スチビントリイルインジウム(III)

CAS番号.1312-41-0

英語名:Indium(III) antimonide

CBNumberCB7215449

MFInSb

MW236.58

MOL File1312-41-0.mol

别名

スチビントリイルインジウム(III)

アンチモン化インジウム

インジウムアンチモン

スチビントリイルインジウム(III)物理性質

融点	535°C
比重(密度)	5,76 g/cm³
外見	結晶
比重	5.76
色	黒
水溶解度	水に不溶。
Crystal Structure	Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
Merck	14,4948
暴露限界値	ACGIH: TWA 0.5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3 NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
CAS データベース	1312-41-0(CAS DataBase Reference)
EPAの化学物質情報	Antimony, compd. with indium (1:1) (1312-41-0)

安全性情報

主な危険性	Xn,N
Rフレーズ	20/22-51/53
Sフレーズ	61
RIDADR	UN 1549 6.1/PG 3
WGK Germany	2
RTECS 番号	NL1105000
TSCA	Yes
国連危険物分類	6.1
容器等級	III
HSコード	2853909090

危険有害性情報のコード(GHS)

スチビントリイルインジウム(III) 価格

製品番号	包装	価格	製品説明	購入
富士フイルム和光純薬株式会社(wako) W01SRM93-4920	5g	￥52900	アンチモン化インジウム(III) (99.99%-In) PURATREM	購入
富士フイルム和光純薬株式会社(wako) W01SRM93-4920	25g	￥208100	アンチモン化インジウム(III) (99.99%-In) PURATREM	購入
Sigma-Aldrich Japan 740942	5g	￥14900	≥99.99% trace metals basis	購入

スチビントリイルインジウム(III) 化学特性,用途語,生産方法

解説
InSb(236.58)．成分金属の計算量を水素または希ガス中で混合溶融すると得られる．金属間化合物で，立方晶系，せん亜鉛鉱型構造．Sb-In2.80 Å．密度5.74 g cm－3．融点535 ℃．Ⅲ-Ⅴ半導体，ホール素子，バンドギャップ0.18 eV(25 ℃)．化合物半導体の素材，赤外線検出素子，磁気抵抗材などに用いられる．[CAS 1312-41-0]
森北出版「化学辞典（第2版）
化学的特性
Crystalline solid.
物理的性質
Black cubic crystal; zincblende structure; density 5.775 g/cm3; melts at525°C; density of melt 6.48 g/mL; dielectric constant 15.9; insoluble in water.
使用
In semiconductor electronics. Grown p-n junctions(Indium(III) antimonide) have been made by doping a melt with an acceptor impurity such as zinc or cadmium, and dipping in an n-type crystal. Rate-grown junctions have also been made. Broad-area surface junctions have been produced by out-diffusing antimony in vacuum from the surface of an n-type crystal, producing a p-n junction just inside the surface. Also has photoconductive, photoelectromagnetic, and magnetoresistive properties. Useful as an infrared detector and filter, and in Hall effect devices.
製造方法
Indium antimonide may be synthesized from its elements by fusion of sto-ichiometric amounts of indium and antimony at elevated temperatures in anevacuated, sealed ampule.
調製方法
Intermetallic semiconductors of indium are formed from group III and group V elements, requiring very high purity of the elements (0.1 ppm).
一般的な説明
This product has been enhanced for energy efficiency.
危険性
See indium; antimony.
Structure and conformation
The space lattice of InSb belongs to the cubic system and zinc-blende-type structure called InSb-I at room temperature and under atmospheric pressure has a lattice constant of a=0.64789 nm and In–Sb=0.280 nm. A single crystal has cleavage of (110) plane. It transforms to white tin-type InSb-II at high temperatures and under high pressure.

スチビントリイルインジウム(III) 生産企業

1312-41-0, スチビントリイルインジウム(III) キーワード

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