锑化铟的应用
锑化铟(InSb)是研究得较早、较深入的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。其晶体呈银色、质脆,为闪锌矿结构.晶格常数为6.48,是一种直接带隙材料,其禁带宽度较窄,为0.18eV,而电子迁移率高达7800cm2/V·s,可用来制作红外探测器,光磁探测器和Hall器件。锑化铟的熔点为525℃,与其他Ⅲ-Ⅴ族化合物相比,它易于提纯和生长单晶,因而它常是Ⅲ-Ⅴ族化合物固体理论研究时所选择的对象。
2020-10-18
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