锑化铟的应用
锑化铟(InSb)是研究得较早、较深入的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。其晶体呈银色、质脆，为闪锌矿结构.晶格常数为6.48，是一种直接带隙材料，其禁带宽度较窄，为0.18eV，而电子迁移率高达7800cm2/V·s，可用来制作红外探测器，光磁探测器和Hall器件。锑化铟的熔点为525℃，与其他Ⅲ-Ⅴ族化合物相比，它易于提纯和生长单晶，因而它常是Ⅲ-Ⅴ族化合物固体理论研究时所选择的对象。
2020-10-18
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