氮化铜:一种新型光信息记录和锂电池负极材料
氮化铜是一种共价键金属氮化物,由于其本身结构的特点,其可应用于光信息存储和高速集成电路领域[2],实验发现当激光的能量密度在15-20kJ/cm2的范围内就可以在氮化铜膜表面刻蚀出铜的斑点或纳米铜线[3],氮化铜是一种无毒且稳定的原料,可以替代以碲元素为基的有毒材料作为光记录膜材,此外Nosaka等人发现:在HCl中的氮化铜比Cu更容易被刻蚀,因此在硅片上沉积Cu的金属线时,氮化铜薄膜可以作为掩膜层,这比现在集成电路加工中使用的Al金属线可以获得更高的信号速度[4]。
2020-10-21
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