氮化铜:一种新型光信息记录和锂电池负极材料
氮化铜是一种共价键金属氮化物,由于其本身结构的特点,其可应用于光信息存储和高速集成电路领域[2],实验发现当激光的能量密度在15-20kJ/cm2的范围内就可以在氮化铜膜表面刻蚀出铜的斑点或纳米铜线[3],氮化铜是一种无毒且稳定的原料,可以替代以碲元素为基的有毒材料作为光记录膜材,此外Nosaka等人发现:在HCl中的氮化铜比Cu更容易被刻蚀,因此在硅片上沉积Cu的金属线时,氮化铜薄膜可以作为掩膜层,这比现在集成电路加工中使用的Al金属线可以获得更高的信号速度[4]。
2020-10-21
推荐新闻
蛭石的性质与应用
2026/10/16
九水硝酸铬(III)在高温高压矿物单晶制备中的应用
2026/10/16
碳酸锆铵的性质与应用
2026/10/16
硅铝包膜改性颜料黄 34 制备研究
2026/10/11
氟化铝钾的制备与表征
2026/10/11
三氟化镓三水合物的应用信息
2026/10/11
最新发布
DCTN3抗体的检测场景对照
8:01