氮化铟新闻专题
氮化铟的制备
氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料,在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中,氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性,它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质,这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件,在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势,尤其在在制备太赫兹器件,化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。
2020-10-24
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