氮化铝新闻专题

近几年，碳化硅作为一种无机材料，其热度可与“半导体”、“芯片”、“集成电路”等相提并论，它除了是制造芯片的战略性半导体材料外，因其独有的特性和优势受到其它众多行业的青睐，可谓是一种明星材料。而随着集成电路成为了国家战略性产业，很多半导体材料得以被研究开发，氮化铝无疑是其中最具有发展前景的半导体材料之一。

碳化硅作为一种无机材料，其热度可与“半导体”、“芯片”、“集成电路”等相提并论，它除了是制造芯片的战略性半导体材料外，因其独有的特性和优势受到其它众多行业的青睐，可谓是一种明星材料。

氮化铝是共价键化合物，属于六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，呈白色或灰白色。

氮化铝，共价键化合物，是原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色。AlN最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。

氮化铝陶瓷具有优良的绝缘性、导热性、耐高温性、耐腐蚀性以及与硅的热膨胀系数相匹配等优点，成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。成型工艺是陶瓷制备的关键技术，是提高产品性能和降低生产成本的重要环节之一。 随着工业技术的高速发展，传统的成型方法已难以满足人们对陶瓷材料在性能和形状方面的要求。陶瓷的湿法成型近年来成为研究的重点，因为湿法成型具有工艺简单、生产效率高、成本低和可制备复杂形状制品等优点，易于工业化推广。

目前，封装基板材料主要采用氧化铝陶瓷或高分子材料，但随着电子产品的小型化，使集成电路(IC)和电子系统在半导体工业上也朝向高集成密度以及高功能化的方向发展。因此，如今对于电子零件的承载基板要求越来越严格，其中，高热导率更加成为电路高度集成化和小型化的突破口，氧化铝陶瓷基板也越来越难以满足发展要求。由于AlN具有良好的物理和化学性能逐步成了封装材料的首要选择。

氮化铝为灰白色正交晶系或六方晶系结晶，在湿空气中有氨味。熔点2200℃(0.45MPa、氮气流中)，沸点(分解)，莫氏硬度9～10度。室温下强度高，随温度的升高，强度下降，弯曲强度30～40Pa。