氧化铟锡新闻专题

氧化铟锡（ITO）在薄膜状时，为透明无色。在块状态时，它呈黄偏灰色。

氧化铟锡（Indium Tin Oxide, ITO）是一种氧化铟（IIIA 族，In2O3）和氧化锡（IVA 族，SnO2）的混合物，In2O3为氧化物半导体，加入SnO2作为杂质参杂。它在薄膜状时，为透明无色具导电性，在原料状态时（粉状），它呈黄偏灰色。 ITO薄膜制作方法一般分成以下几种，如溶胶凝胶（Sol-gel），喷雾热解（Spray），溅镀（Sputter），蒸镀（Evaporation），PLD（Pulse Laser Deposition），化学气相沉积 （Chemical Vapor Deposition, CVD）。各种制作方法都有其优缺点，由于真空溅镀法具有可连续快速生产高品质薄膜的特性，其工艺温度较其他技术低，且适用在大面积的各种基板上，故真空溅镀法是目前使用相当普遍的薄膜制造技术。

氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。 氧化铟锡薄膜最通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。