氧化镓新闻专题

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第四代半导体再突破，我国氧化镓研究取得系列进展

日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

2023-05-16

氧化镓——又一半导体材料

Ga 2 O 3 是金属镓的氧化物，同时也是一种半导体化合物。其结晶形态截至目前已确认有α、β、γ、δ、ε五种，其中，β结构最稳定。与Ga 2 O 3 的结晶生长及物性相关的研究大部分围绕β结构展开。研究人员曾试制了金属半导体场效应晶体管，尽管属于未形成保护膜钝化膜的简单结构，但是样品已经显示出耐压高、泄漏电流小的特性。在使用碳化硅和氮化镓制造相同结构的元件时，通常难以达到这些样品的指标。

2021-04-21

解析半导体氧化镓技术的出现

电子工业正在尽可能地将硅最大化应用，但其毕竟还是有局限的，这就是为什么研究人员正在探索其它材料，如碳化硅，氮化镓和氧化镓。虽然氧化镓的导热性能较差，但其带隙（约4.8电子伏特或eV）超过碳化硅（约3.4eV），氮化镓（约3.3eV）和硅（1.1eV）的带隙。

2020-11-14

郝跃院士谈氧化镓：致力于提供更高效的生活

近年来氧化镓晶体生长技术的突破性进展，极大地推动了相关的薄膜外延、日盲探测器、功率器件、高亮度紫外LED等器件的研究，是国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项也于2018年发布了相关的研究指南“超宽禁带半导体材料与器件研究（基础研究类）”，也极大带动了国内相关科研机构的研究兴趣，近年来，我国科学工作者在氧化镓材料和器件研究方面取得了重要的进展。

2020-02-04

功率半导体氧化镓到底是什么？

目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。

2020-02-04

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