四(二甲氨基)锡的制备与应用

简述

四(二甲氨基)锡是一种分子式为C₈H₂₄N₄Sn，分子量为295.013的化学物质，无色至淡黄色溶液，空气敏感，是一种重要的有机金属试剂。

制备方法

四(二甲氨基)锡可通过下述步骤制备：

（1）向金属氢化物中加入溶剂，得到悬浊液；

（2）向悬浊液中滴加无水四氯化锡，反应得到反应液；

（3）向反应液中通入二甲胺，搅拌反应，得到混合物；

（4）对混合物进行减压去低沸、减压蒸馏、精馏得到所述四(二甲氨基)锡。

上述方法以金属氢化物替代了活性高难以控制的正丁基锂，金属氢化物活性大大降低，不会发生剧烈反应，因此安全性大大提高，并且金属氢化物可以替代正丁基锂作为缚酸剂参与反应促进反应进行，大幅降低生产成本，利于大规模生产[1]。

应用

气体传感器技术领域公开一种一体化MEMS氢气传感器的制备方法。对MEMS进行清洁和干燥后转移至ALD反应器中，以四(二甲氨基)锡和水为前驱体沉积SnO₂薄膜，控制ALD SnO₂在MEMS上沉积的循环次数，获得不同厚度SnO₂薄膜，在MEMS沉积150循环的ALDSnO₂上继续沉积NiO，以二茂镍(NiCp₂)和O₃为前体，沉积温度270℃，对NiCp₂的脉冲，暴露和吹扫，改变MEMS上沉积ALD NiO的循环次数获得不同比例NiOSnO₂界面位点的敏感材料。同现有技术相比，上述方法通过原子层沉积精准控制纳米大小或膜厚度，可以实现高强度，高灵敏和稳定的MEMS传感器制备[2]。

此外，文献还报道了一种氧化铟基透明导电薄膜及其制备方法。该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料，氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面。其通过金属有机化学气相沉积的方式制备，以有机金属三甲基铟作为铟源，高纯氧气作为氧源，四(二甲氨基)锡作为掺杂源制备获得。制备得到的氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm，电阻率小于5×104Ω·cm，具有4.1～4.7eV的光学带隙，在300nm处的透过率大于50%，且光谱透射区域延伸到深紫外波段，还能精准控制表面形貌，适用于作为近紫外深紫外波段的透明导电薄膜[3]。

参考文献

[1]齐爱民,陈鹏宇.一种四(二甲氨基)锡的制备方法:202310918814[P].

[2]胡庆敏,徐甲强,张景韬,等.一种一体化MEMS氢气传感器制备方法:CN202111485555.6[P].CN202111485555.6.

[3]王钢,卓毅,陈梓敏,等.一种紫外透明导电薄膜及其制造方法:CN201710195510.2[P].