1,2-亚乙二次氮四丙醇与环氧乙烷和甲基环氧丙烷的聚合物在材料改性的应用及作为电解液抑制剂

Tetronic系列表面活性剂(美国密歇根州Wyandotte化学公司)是由环氧乙烷和环氧丙烷(随机)连续加成乙二胺制得的嵌段聚合物。该系列至少有21个化合物可供商业使用，分子量范围为1650至26000。它们在亲水性(聚氧乙烯)和疏水(聚氧丙烯)侧链之间的平衡不同，这种平衡决定了个体Tetronic的物理性质。Tetronic 701是一种平均分子量为3600的液体，含有约10%的聚氧乙烯。1,2-亚乙二次氮四丙醇与环氧乙烷和甲基环氧丙烷的聚合物别名为泊洛沙胺Tetronic 701 ^[1]

材料改性

在Tetronic胶束中包埋α-淀粉酶修饰的聚醚砜膜的制备

Tetronics是通用的表面活性剂，可用于食品和制药行业。它们是四臂星形嵌段共聚物（图1），据报道是不同药物的良好载体。在1,2-亚乙二次氮四丙醇与环氧乙烷和甲基环氧丙烷的聚合物（Tetronic-701）中，PPO单元直接连接到乙二胺上，而在Tetronic-90R4中，模块的配置发生了变化：疏水块PPO位于链的外部（图1）。因此，Tetronic-701以星状胶束的形式聚集，而Tetronic-90R4形成花状胶束。

Iryna Kolesnyk等提出了一种将α-淀粉酶包埋在聚合物胶束中的聚醚砜膜改性的新方法，来提高膜的抗污性能。α-淀粉酶的固定化是通过将其掺入商业化聚合物表面活性剂（Tetronic-701和Tetronic-90R4）的胶束中，随后在膜表面上吸附来实现的。负载酶的胶束的大小取决α-于表面活性剂的性质，对于Tetronic-400和Tetronic-100R701，分别等于90和4nm。包埋α-淀粉酶的聚合物胶束的可能结构：PEO-亲水性聚环氧乙烷片段，形成胶束壳;PPO-疏水性环氧丙烷碎片，形成胶束芯。^[2]

改性壳聚糖

1,2-亚乙二次氮四丙醇与环氧乙烷和甲基环氧丙烷的聚合物（Tetronic 701）是四联乙二胺(乙氧基-嵌段-丙氧基)四醇酯，线性块锚定在分子二胺位于分子中心位置。Tetronic 701是一种两性表面活性剂，包含亲水性和亲脂性基团，对脂肪、油、蜡具有高亲和力。

选择Tetronic 701对壳聚糖接枝改性，壳聚糖染色效果有所改变、吸水能力、WRA和抗拉强度随处理条件的变化而变化。壳聚糖的存在决定了吸水能力的降低，使用Tetronic 701预处理的样品比空白样品更亲水。由于壳聚糖的作用，处理过的纺织品的纱线/纤维的粘合剂，阻力损失较小。在纬向上的抗拉强度均略小于标样。WRA随壳聚糖浓度的增加而增加。^[3]

电解液抑制剂

为了了解抑制剂添加剂对电流电压特性的影响，在50 μM 1,2-亚乙二次氮四丙醇与环氧乙烷和甲基环氧丙烷的聚合物（Tetronic 701） 抑制剂存在和不存在的情况下，用1.25 M硫酸铜、0.25 M MSA和1 mM氯化钾作为电解液进行了电镀。无图案的Si测试条涂在铂种子金属在不同的施加电流密度下镀在两种化学物质中。在测量产生的电压时，以恒流方式施加电流。^[4]

研究表明，1,2-亚乙二次氮四丙醇与环氧乙烷和甲基环氧丙烷的聚合物（泊洛沙胺Tetronic 701）作为单一抑制剂实现了高级互连中硅通孔（TSV）的Cu极端超填充。科研人员研究了三种不同的抑制剂Tetronic 701，聚乙二醇（PEG）和泊洛沙姆Pluronic F-68（F68）在Cu电沉积过程中的影响。电化学结果表明，Tetronic 701在较高电位下表现出比PEG和F68更强的抑制能力，在浓度增加时表现出更好的抑制能力。沉积在平面衬底上的Cu形貌表现为PEG或F68产生扁平Cu膜，而Tetronic 701导致局部异常结节的生长。Te701对聚氧丙烯嵌段和质子化乙二胺基团的解吸不一致而具有较强的抑制能力。 ^[5]

参考文献

[1] Green J, Heald M, Baggaley K H, et al. Tetronic 701—A novel hypocholesterolaemic agent. Atherosclerosis, 1976, 23(3): 549-558.

[2] Kolesnyk I, Konovalova V, Kharchenko K, et al. Improved antifouling properties of polyethersulfone membranes modified with α-amylase entrapped in Tetronic? micelles. Journal of Membrane Science, 2019, 570: 436-444.

[3] Popescu V, Sandu I G, Vasluianu E, et al. Effects of chitosan grafting onto cotton fabric pretreated with a tetrol. Rev. Chim.-Bucharest, 2014, 65: 1439.

[4] Menk L A, Baca E, Blain M G, et al. Galvanostatic plating with a single additive electrolyte for bottom-up filling of copper in mesoscale TSVs. Journal of the Electrochemical Society, 2018, 166(1): D3226.

[5] Dong M, Zhang Y, Hang T, et al. Structural effect of inhibitors on adsorption and desorption behaviors during copper electroplating for through-silicon vias. Electrochimica Acta, 2021, 372: 137907.