了解磷化铟的发展史

磷化铟（InP）是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继Si、GaAs之后的新一代电子功能材料。磷化铟具有许多优点，直接跃迁型能带结构，高的电光转换效率和电子迁移率，易于制成半绝缘片材料，适合制作高频微波器件和电路，工作温度高，具有强的抗辐射能力，作为太阳能电池材料转换效率高等。这些特征决定了其在固体发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等民用和军事领域的应用十分广阔。

20世纪50年代末，科学工作者应用水平布里奇曼法、温度梯度法和磁耦合提拉法生长出了磷化铟单晶。1965-1968年Mullin等人次用三氧化二硼做液封剂，用LEC法生长出了磷化铟单晶材料，为以后生长大直径、高质量Ⅲ-Ⅴ族单晶打下基础，磷化铟材料的研究也才真正开始。随着20世纪80年代透射电镜技术的应用和迅速发展以及光纤通信事业的大发展，光电器件的走红，太阳能电池的大量需求，极大的推动了与这些技术密切相关的磷化铟材料的研究和发展。北大西洋公约组织在1980年召开了三年一届的磷化铟工作会议，到1989年，由于磷化铟材料与器件发展迅速，工作会议改为由IEEE等国际著名组织主办的以磷化铟命名的国际性学术会议--“磷化铟及相关材料国际会议（IPRM）”，会议每年召开一次。美国国防部早在1989年就专门制订了关于磷化铟到2000年的发展规划，目的是找到磷化铟单晶材料的可靠来源，以提高其在21世纪的实战能力，因为磷化铟的微波和毫米波单片电路能使陆军采用固态器件和相控技术来发展先进的雷达和通信系统。其他英、日、俄、法等技术先进国家也早在20世纪70年代末就对磷化铟单晶材料的制备和相关器件的发展给以极大的关注，所以目前仍是这些国家在此领域保持领先地位，并积极开拓市场，使之真正实现广泛应用。

我国的磷化铟材料起步并不晚，在20世纪70年代就开始了磷化铟单晶材料的研制工作，到1976年就用国产自行设计制造的首台高压单晶炉生长出了我国根具有使用和研究价值的磷化铟单晶。到80年代初开始了我国自己的磷化铟器件研制工作。尽管由于我国的基础工业还比较落后，磷化铟的应用在我国还远不如人意，但我国一直没有放弃这一重要领域的研究工作，我国的科学工作者在磷化铟多晶合成和单晶生长方面取得了许多成果。

磷化铟材料的发展促进了PBN坩埚的需求，山东国晶新材料有限公司 一直致力于生产更高质量的PBN坩埚，为满足磷化铟材料生产厂家的大量需求奠定坚实基础。