二乙基硅烷的应用

背景及概述^[1]

二乙基硅烷是一种硅烷试剂，有文献报道其可用于制备沉积金属硅酸盐膜的硅源。

应用^[1-6]

应用一、

二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源。一种形成作为电子器件中高k电介质的金属硅酸盐的方法，包括步骤：提供二乙基硅烷至反应区；同时提供氧源至该反应区；同时提供金属前驱体到该反应区；通过化学气相沉积使该二乙基硅烷、氧源和金属前驱体发生反应，以在包括该电子器件的衬底上形成金属硅酸盐。该金属优选为铪、锆或其混合物。该金属硅酸盐膜的介电常数可以基于膜中的金属、硅、和氧的相对原子浓度进行调节。

应用二、

一种形貌可控的油溶性钯纳米材料的制备方法，所述制备方法如下：(1)配置溶解在氯仿溶剂中的醋酸钯前驱体溶液，钯盐与氯仿质量比为1:1000～2500；(2)向步骤(1)得到的氯仿溶液中加入油胺和油酸作为保护剂，使醋酸钯、油胺、油酸的质量比为1:1.33～4.0:1.48～4.45；(3)向步骤(2)得到的氯仿溶液中进一步加入二乙基硅烷，使醋酸钯与二乙基硅烷的质量比为1:1，该溶液在室温下搅拌反应2～8小时，获得钯纳米颗粒氯仿溶液；(4)向钯纳米颗粒氯仿溶液中加入甲醇，离心得到黑色钯纳米颗粒沉淀。本发明反应条件温和，制备过程简单，易于规模化生产，生产周期短，获得的钯纳米颗粒粒径分布均匀，稳定性高，可溶于油相溶剂。

应用三、

CN201410109233.5提供层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置。具备下述步骤：层叠膜形成步骤，其具有下述工序：氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种在半导体基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜形成工序，在通过氧化硅膜形成工序形成的氧化硅膜上形成氮化硅膜，重复多次氧化硅膜形成工序和氮化硅膜形成工序，在半导体基板上形成交替配置多个氧化硅膜与多个氮化硅膜的层叠膜；氮化硅膜蚀刻步骤，将构成层叠膜的氮化硅膜进行蚀刻；降低碳浓度的步骤，将氮化硅膜蚀刻步骤中没有被蚀刻的氧化硅膜中的碳去除而降低碳浓度；以及电极形成步骤，在氮化硅膜蚀刻步骤中被蚀刻的区域形成电极。

应用四、

CN201010148476.1公开一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法，包括如下步骤：1)将粗硅烷通入脱轻塔，塔的操作压力1.8~2.5MPa，顶部温度-120~-80℃，在塔顶除去氮气、甲烷、氢气；2)粗硅烷从塔底流出进入脱重塔，塔的操作压力1.8~2.5MPa，顶部温度-70~-40℃，在塔底除去乙烷、硼、磷等；3)从塔顶排出的硅烷进入串联的吸附塔，塔的操作压力均为1.6~2.3MPa，除去乙烯；4)硅烷进入第二脱重塔，塔的操作压力1.6~2.3MPa，顶部温度-70~40℃，除去乙基甲硅烷。本发明使精制提纯后硅烷中氮气、甲烷、氢气的含量降到1.5×10-9以下；乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、乙烯、乙基甲硅烷、硼、磷的含量降到3.5×10-9以下，最终可将粗硅烷的纯度提纯至99.9999999%以上，满足电子和半导体行业的使用要求。

应用五、

CN201380024532.2描述了低温加工的高质量含硅膜。还公开了在低温下形成含硅膜的方法。在一个方面，提供了具有约2nm至约200nm的厚度和约2.2g/cm3或更大的密度的含硅膜，其中所述含硅薄膜通过选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)的沉积工艺沉积，并且所述气相沉积使用选自二乙基硅烷、三乙基硅烷以及它们的组合的烷基硅烷前体在约25℃至约400℃范围的一个或多个温度下进行。

应用六、

CN202110416536.1提供一种改进环烷烃碳氢燃料及其低压燃烧促进方法，具体的是：以甲基环己烷为基体燃料，添加二乙基硅烷对甲基环己烷低压下的点火温度和点火延迟时间进行调控。本发明方法所得的改性环烷烃碳氢燃料具有物理形态稳定，无分层，高热值，燃料常温环境下与空气接触具有良好的安定性等优点，通过对环烷烃碳氢燃料燃烧基元反应的定向调控实现对环烷烃碳氢燃料的低压燃烧特性的调节，操作简单，实用性强。该发明解决了碳氢燃料低压调控困难的问题，为环烷烃碳氢燃料的低压特性调控提供了解决方案，对于解决先进航空发动机低压恶劣工况条件的可靠点火提供了技术储备。

参考文献

[1] CN200710128801.6二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源

[2] CN201910987698.3一种形貌可控的油溶性钯纳米材料的制备方法

[3] CN201410109233.5层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置

[4] CN201010148476.1一种多晶硅生产过程中的电子级硅烷精制提纯的方法

[5] CN201380024532.2在薄膜晶体管器件上制备含硅膜的方法

[6]CN202110416536.1一种改进环烷烃碳氢燃料及其低压燃烧促进方法